Technology
技術紹介
私たちの目標
半導体ものづくりのスモール製造を実現する
Heterogeneous Integration by Minimal Fab
IoT Device Packaging with Half-Inch Size
IoTデバイスパッケージを実現するために、現在、下の写真にあるようにマルチチップのボンディング技術を開発済みです。また、ビア構造も歩留まりを高くするために低アスペクト比として確実な電気的コンタクトを形成する技術（右の断面写真と、右下の再配線(ReDistribution Layer: RDL)パターン形成技術を開発済みです。
シリコン貫通電極TSV(Through Si Via)
TSV製造には通常300mmシステムを使わざるを得ず、数百億円以上の売上げが見込まれないと製造は不可能です。実際、注目されているにもかかわらず、日本国内では依頼製造はほとんど行われていません。そのため、ミニマルファブが唯一の受注方法であると思われます。
当社は、ミニマルファブを用いてその受注試作を皆様からお受けいたします。
私たちが今後5年間で実現すること
IoTデバイスを1パッケージ(ハーフインチサイズ1cm2以下)に集積化
５年後にもたらされるお客さまのメリット
- 先端パッケージング技術を当社と共有できます。
- 体積比1/100で、1/100倍以下の低消費電力化を実現できます。
- PoC(Proof of Concept)：ほしい半導体デバイスを創ることができます。
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